发明名称 磁记录介质及其制造方法
摘要 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括:基底;软磁下层,形成在基底上;纹理层,形成在软磁下层上,并包括均匀的图案;记录层,包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此,可在记录层上形成规则的粒状结构,而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺,从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。
申请公布号 CN101159139A 申请公布日期 2008.04.09
申请号 CN200710136235.3 申请日期 2007.07.11
申请人 三星电子株式会社 发明人 李斗铉;尹成龙;孙镇昇;李丙圭
分类号 G11B5/66(2006.01);G11B5/84(2006.01) 主分类号 G11B5/66(2006.01)
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人 韩明星;刘奕晴
主权项 1.一种磁记录介质,包括:基底;软磁下层,形成在基底上;纹理层,形成在软磁下层上,并包括规则的图案;记录层,包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域,磁性颗粒和非磁边界区域与纹理层的规则的图案对应地形成。
地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416