溶剂热分解法制备单晶锗纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种溶剂热分解法制备单晶锗纳米线的方法。采用三辛胺作为高沸点溶剂，高温分解有机锗先驱体，制备出了长度在微米级、单一生长方向的锗纳米线，线径在20－120nm之间可控。比较了不同反应时间、不同先驱体浓度对制备锗纳米线的影响，根据实验结果总结了制备不同线径纳米线的方法。这种制备方法简单，可控性好。制备得到的锗纳米线在半导体器件、光学器件的设计制造中具有重要的实用前景。

主权项

1.一种溶剂热分解法制备单晶锗纳米线的方法，其特征在于该方法的步骤如下：一、材料配比：浓度为99.99％的无水四氯化锗GeCl4；浓度为97％的油胺；浓度为99％的三辛胺；以上试剂均没有经过纯化处理；二、制备过程：1)无水GeCl4与油胺以摩尔比1∶4～6反应制备得到淡黄色先驱体油胺锗TOG；2)将三辛胺置于容器中，在惰性气体保护下加热至200℃；3)取9*10-4～2.7*10-3摩尔的先驱体TOG放入上述容器中，在200℃下，以1℃/min的速度加热至360℃，并在360℃中保温回流4～8h。反应后的混合物经过10000r/min离心机离心20min，得到的褐色产物用乙醇分散洗涤后再次离心，重复2～3次后得到的固体在常温下干燥成固体粉末。