一种半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包含N型层、发光层和P型层。在衬底的下表面设置有一电极。在P型层的上表面设置有P型电极，其中，部分P型层被刻蚀到N型层，并设置有N型电极，同时在该区域N型层内设有一导电体，其一端与N型电极相连接，另一端与衬底电接触；该导电体由一柱状通孔及填充于通孔内的导电物质构成；该导电体还可延伸至衬底底部，并与衬底下表面的电极相连接。本发明能有效降低半导体发光器件的工作电压，及提高半导体发光器件的输出功率。另外，本发明还公开了一种半导体发光器件的制造方法。

主权项

1.一种半导体发光器件，其包括衬底(1)及层叠于衬底(1)上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包含N型层(6)、发光层(5)和P型层(4)，该衬底(1)的下表面设置有电极(10)，该P型层(4)的上表面设置有P型电极(9)，其中，部分P型层(4)被刻蚀到N型层(6)，并设置有N型电极(11)，其特征在于：在N型层(6)露出的区域内设有一导电体，其一端与N型电极(11)相连接，另一端与衬底(1)电接触。