发明名称 |
半导体晶片的半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体晶片的半导体结构及其形成方法,具体涉及一种形成双栅极结构的方法,在一第一基底上形成一厚度小于30nm的埋层绝缘层;在埋层绝缘层上形成一第二基底;在第二基底上形成一垫层;在垫层上形成一遮罩层;形成一第一沟槽,延伸穿过垫层、第二基底、埋层绝缘层至第一基底中;以一绝缘材料将第一沟槽填满;以一导电材料将绝缘材料中的第二沟槽填满;在第二基底上形成一金属氧化物半导体晶体管。在埋层绝缘层下形成一底部栅极,且自对准于形成在第二基底上的顶部栅极。本发明不但可改善元件的效能,且具有较小的高低差而不需整平,因此也可简化制程。且底部栅极的驱动电压能有所提升,因此元件效能也能有所提升。 |
申请公布号 |
CN100378985C |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200510128422.8 |
申请日期 |
2005.11.24 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈豪育;徐祖望;彭宝庆;杨富量 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括:一第一基底,该第一基底上具有一厚度小于30nm的埋层绝缘层;一第二基底,形成在该埋层绝缘层上;一第一绝缘区域,延伸穿过该第二基底、该埋层绝缘层以及部分该第一基底;一基底接点,形成在该第一绝缘区域中;以及一主体区域,其中该埋层绝缘层与该第二基底未延伸至该主体区域上。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |