| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可靠性高、容易制造且能使内阻更加降低的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有：半导体元件3；引线4，具有与设置在半导体元件3上的电极连接的电极；以及金属膜6，使半导体元件3的电极与引线4的电极电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101154642A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710161214.7 | 申请日期 | 2007.09.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小幡进;小松出;井口知洋;木谷智之;平原昌子;浮田康成;樋口和人 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/56(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体元件；引线，具有与设置在上述半导体元件上的电极连接的电极；以及金属膜，使上述半导体元件的电极与上述引线的电极电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||