| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体存储器件，包括用于产生高压并将产生的高压施加到存储单元的高压发生器，用于将高压发生器的输出电压转换为数字信号的转换器，和用于将转换器的输出或存储单元的输出选择性地通过I/O端子输出的模式选择单元。 | ||
| 申请公布号 | CN101154469A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610156456.2 | 申请日期 | 2006.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 元嘇规 |
| 分类号 | G11C29/50(2006.01) | 主分类号 | G11C29/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括：产生高压并将所述产生的高压施加到存储单元的高压发生器；将所述高压发生器的输出电压转换为数字信号的转换器；和模式选择单元，其通过I/O端子选择性地输出转换器的输出或存储单元的输出。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||