| 发明名称 | 磁阻效应元件、磁头及磁记录装置 | ||
| 摘要 | 一种磁阻效应元件，其具有垂直平面电流结构，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。 | ||
| 申请公布号 | CN100378803C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200510060177.1 | 申请日期 | 2005.03.31 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 长坂惠一;清水丰;田中厚志 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种磁阻效应元件，其具有垂直平面电流结构，包括：晶体材料的第一电极层；导电非晶材料的第一基层，形成在该第一电极层之上；晶体材料的反铁磁层，形成在该第一基层之上；第一铁磁层，形成在该反铁磁层之上，并且具有由该反铁磁层所限定的磁化方向；非磁性中间层，形成在该第一铁磁层之上；第二铁磁层，形成在该非磁性中间层之上，具有随外界磁场改变的磁化方向；以及第二电极层，形成在该第二铁磁层之上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||