| 发明名称 | 制造具有FINFET的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成器件隔离结构以限定有源区；形成硬掩模图案以开放限定有源区图案的区域以及覆盖该器件隔离结构；利用硬掩模图案作为蚀刻阻挡层通过选择使在开放区域中所形成的器件隔离结构凹陷以形成有源区图案；移除硬掩模图案；在衬底上形成栅极绝缘层以覆盖至少有源区图案；以及在栅极绝缘层上形成栅极电极以覆盖至少有源区图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101154596A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710090911.8 | 申请日期 | 2007.03.23 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 张世亿;梁洪善;安台恒 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成器件隔离结构以限定有源区；形成硬掩模图案以开放限定有源区图案的区域和覆盖所述器件隔离结构；利用所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡层、通过选择性使在所述开放区域中形成的所述器件隔离结构凹陷从而形成所述有源区图案；移除所述硬掩模图案；在所述衬底上形成栅极绝缘层以至少覆盖所述有源区图案；和在所述栅极绝缘层上形成栅极电极以至少覆盖所述有源区图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||