| 主权项 |
1.一种薄膜体音响之制造方法,其特征系于在具有 密闭于内部之中空部的基板表面上,于上述中空部 上方形成下部电极; 在上述下部电极之表面上,形成压电膜; 包夹上述压电膜地,形成与上述下部电极相对的上 部电极; 对上述基板,形成到达上述中空部的开口部; 经由上述开口部及上述中空部,去除上述下部电极 下方之上述基板部分来形成空洞。 2.如申请专利范围第1项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述空洞系露出于上述下部电极的 下面。 3.如申请专利范围第1项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述基板系(110)面方位之矽基板。 4.如申请专利范围第1项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述基板系(100)面方位之矽基板。 5.如申请专利范围第1项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,具有上述中空部之基板,系经由接着 层与最少于一边形成沟的支撑基板及接着基板来 接着。 6.如申请专利范围第1项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述空洞系由异向性湿蚀刻所形成 。 7.如申请专利范围第1项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,具有上述中空部之基板,系SON(Silicon- On-Nothing)基板。 8.如申请专利范围第1项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,具有上述中空部之基板,系经由接着 层对形成沟的支撑基板来接着有接着基板。 9.如申请专利范围第5项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述接着层,系氧化矽膜、氮化矽膜 、旋转涂布玻璃膜、涂布型介电膜、聚醯亚胺膜 、阻剂膜及碳膜的任一个。 10.如申请专利范围第8项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述接着层,系形成于上述支撑基板 表面的氧化矽膜。 11.如申请专利范围第8项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述接着层,系形成于上述接着基板 表面的氧化矽膜。 12.如申请专利范围第8项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述接着基板系(110)面方位之矽基板 。 13.如申请专利范围第8项所记载之薄膜体音响之制 造方法,其中,上述接着基板系(100)面方位之矽基板 。 14.如申请专利范围第12项所记载之薄膜体音响之 制造方法,其中,上述支撑基板系(110)及(100)之任一 种面方位的矽基板。 15.如申请专利范围第13项所记载之薄膜体音响之 制造方法,其中,上述支撑基板系(110)及(100)之任一 种面方位的矽基板。 图式简单说明: 第1图,系表示本发明实施方式中FBAR一例的俯视图 。 第2图,系表示第1图所示之FBAR之II-II剖面的图。 第3图,系表示第1图所示之FBAR之III-III剖面的图。 第4图,系表示本发明实施方式中FBAR之制造方法一 例的剖面图(其1)。 第5图,系表示本发明实施方式中FBAR之制造方法一 例的剖面图(其2)。 第6图,系表示第5图所示之FBAR之VI-VI剖面的图。 第7图,系表示本发明实施方式中FBAR之制造方法一 例的剖面图(其3)。 第8图,系表示本发明实施方式中FBAR之制造方法一 例的剖面图(其4)。 第9图,系表示本发明实施方式中FBAR之制造方法一 例的剖面图(其5)。 第10图,系表示第9图所示之FBAR之X-X剖面的图。 第11图,系说明本发明实施方式之FBAR之空洞形成方 法之一例的图。 第12图,系说明本发明其他实施方式之FBAR之空洞形 成方法之一例的图。 |
