Wafer bearbeitende Hardware für das epitaktische Abscheiden mit reduzierter Autodotierung und weniger Störstellen auf der Rückseite

摘要

Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst eine Vorrichtung für das Reduzieren der Autodotierung auf der Vorderseite eines Substrats 202 und von Störstellen auf der Rückseite des Substrats im Verlauf eines epitaktischen Abscheidungsprozesses zum Ausbilden einer Epitaxieschicht auf der Vorderseite des Substrats folgendes: ein Mittel für das Ausbilden einer Wafer-Spaltregion 215 mit einer regulierbaren Dicke zwischen der Rückseite des Substrats und einer Suszeptorplatte 205, ein Mittel für das Ventilieren von Autodotierstoffen aus der Wafer-Spaltregion 215 mit einer Strömung inerten Gases 218, während das Strömen von inertem Gas über die Vorderseite des Substrats unterdrückt beziehungsweise verhindert wird, und ein Mittel für das Leiten von reagierenden Gasen 221 über die Oberfläche der Vorderseite des Substrats, während das Strömen von reagierenden Gasen in der Nähe der Oberfläche der Rückseite des Substrats unterdrückt beziehungsweise verhindert wird.