发明名称 低场大磁致应变Fe-Ga磁致伸缩材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种低场大磁致应变Fe-Ga磁致伸缩材料及其制备方法,该磁致伸缩材料成分为Fe<SUB>0.73</SUB>Ga<SUB>0.27</SUB>。该磁致伸缩材料制备方法为先将原材料熔炼成棒材,然后采用磁悬浮区熔法定向凝固制备低场大磁致应变Fe-Ga磁致伸缩材料。制备得到的Fe<SUB>0.73</SUB>Ga<SUB>0.27</SUB>磁致伸缩材料在35kA/m磁场下应变达到饱和值;在无压力状况下磁致应变为169×10<SUP>-6</SUP>,压力在46MPa时磁致应变为254×10<SUP>-6</SUP>;屈服强度450MPa,室温压缩强度910Mpa。
申请公布号 CN100377379C 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200510053908.X 申请日期 2005.03.14
申请人 北京航空航天大学 发明人 蒋成保;徐惠彬;张天丽;徐翔;刘敬华
分类号 H01L41/20(2006.01);H01L41/22(2006.01);C22C38/00(2006.01) 主分类号 H01L41/20(2006.01)
代理机构 北京永创新实专利事务所 代理人 周长琪
主权项 1.一种磁致应变Fe-Ga磁致伸缩材料,其特征在于:Fe-Ga磁致伸缩材料成分为Fe0.73Ga0.27。
地址 100083北京市海淀区学院路37号