| 发明名称 | 从衬底去除氧化物的方法和系统 | ||
| 摘要 | 一种用于处理衬底的方法和系统，包括：在处理室中提供衬底，所述衬底包括形成在其上的氧化物层；在耦合至所述处理室的远程等离子体源中激发含氢气体；在低于约900℃的第一衬底温度下，将所述衬底暴露于受激含氢气体流，以将所述氧化物层从所述衬底去除。然后在不同于所述第一衬底温度的第二衬底温度下保持所述衬底，并且在所述第二衬底温度下将含硅膜形成在所述衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN101151712A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200680010824.0 | 申请日期 | 2006.03.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 安东尼·迪朴;艾伦·约翰·利思;吴昇昊 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 1.一种处理衬底的方法，包括：在处理室中提供衬底，所述衬底包括形成在其上的氧化物层；在耦合至所述处理室的远程等离子体源中激发含氢气体；在低于约900℃的第一衬底温度下，将所述衬底暴露于受激含氢气体流，以将所述氧化物层从所述衬底去除；在不同于所述第一衬底温度的第二衬底温度下保持所述衬底；以及在所述第二衬底温度下，在所述衬底上形成含硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||