| 发明名称 | 通过部分刻蚀图案化抗反射涂层层的方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种图案化薄膜的方法。该方法包括在衬底上形成要图案化的薄膜，在薄膜上形成抗反射涂层(ARC)层，并在ARC层上形成掩模层。其后，对掩模层图案化以在其中形成图案，并且利用诸如刻蚀工艺之类的转移工艺将图案部分转移到ARC层。一旦去除了掩模层，就利用刻蚀工艺将图案完全转移到ARC层，并且利用另一刻蚀工艺将ARC层中的图案转移到下层的薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101150052A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200710151302.9 | 申请日期 | 2007.09.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 桑德拉·海岚德;香农·迪恩 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/311(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 1.一种图案化衬底上的薄膜的方法，包括：在所述衬底上准备膜叠层，所述膜叠层包括形成在所述衬底上的所述薄膜、形成在所述薄膜上的抗反射涂层层以及形成在所述抗反射涂层层上的掩模层；在所述掩模层中形成图案；通过将所述图案转移到小于所述抗反射涂层层的厚度的某一深度，来将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层；在将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层之后去除所述掩模层的剩余部分；通过刻蚀所述抗反射涂层层完成所述图案到所述抗反射涂层层的转移；以及将所述图案转移到所述薄膜，同时基本消耗光所述抗反射涂层层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||