| 主权项 |
1.一种混凝沉降法处理含氟废水系统,其包含: 一氟离子反应槽,接受含氟废水之注入; 一氯化钙供应槽,对氟离子反应槽供注氯化钙作为 反应剂; 一反应剂注入控制单元,其控制氯化钙供应槽对氟 离子反应槽之氯化钙反应剂供应,以供与废水中之 氟离子反应而形成氯化钙; 一入口氟离子分析检测器,设置于氟离子反应槽之 废水入口以供量测进流废水之氟离子浓度,以供决 定一反应剂理论注入量;与 一出口氟离子分析检测器,设置于处理系统出水口 以供量测系统出流废水之氟离子浓度;其中 反应剂注入控制单元控制氯化钙供应槽的供应量, 以使该供应量对反应剂理论注入量的比値维持最 低,并在出口氟离子分析检测器所量测之该系统出 流废水氟离子浓度超越一预定値时,再增加氯化钙 供应槽对氟离子反应槽的氯化钙反应剂供注,直至 出口氟离子分析检测器所量测之该系统出流废水 氟离子浓度低于该一预定値。 2.如申请专利范围第1项所述之混凝沉降法处理含 氟废水系统,其更包含有一氟化钙混凝槽,可接受 氟离子反应槽之出水并以混凝剂使氟化钙混凝化 而利于氟化钙之沉淀。 3.如申请专利范围第1项所述之混凝沉降法处理含 氟废水系统,其更包含有一氟化钙胶凝槽,可接受 氟离子反应槽之出水并以胶凝剂使氟化钙胶凝化 而利于氟化钙之沉淀。 4.如申请专利范围第1项所述之混凝沉降法处理含 氟废水系统,其更包含有一酸硷値调节剂供应槽, 可对氟离子反应槽供应酸硷値调节剂而利于氟化 钙之形成反应。 5.一种混凝沉降法处理含氟废水系统,其包含: 一氟离子反应槽,接受含氟废水之注入; 一氯化钙供应槽,对氟离子反应槽供注氯化钙作为 反应剂; 一反应剂注入控制单元,其控制氯化钙供应槽对氟 离子反应槽之氯化钙反应剂供应,以供与废水中之 氟离子反应而形成氯化钙; 一入口氟离子分析检测器,设置于氟离子反应槽之 废水入口以供量测进流废水之氟离子浓度,以供决 定一反应剂理论注入量; 一出口氟离子分析检测器,设置于处理系统出水口 以供量测系统出流废水之氟离子浓度;与 一出口钙离子分析检测器,设置于处理系统出水口 以供量测系统出流废水之钙离子浓度;其中 反应剂注入控制单元控制氯化钙供应槽的供应量, 以使该供应量对反应剂理论注入量的比値维持最 低,并在出口氟离子分析检测器所量测之该系统出 流废水氟离子浓度超越一预定値时,再增加氯化钙 供应槽对氟离子反应槽的氯化钙反应剂供注,直至 出口氟离子分析检测器所量测之该系统出流废水 氟离子浓度低于该一预定値,且 反应剂注入控制单元控制氯化钙供应槽的供应量, 以在出口钙离子分析检测器所量测之该系统出流 废水钙离子浓度超越一预定値时,即减低氯化钙供 应槽对氟离子反应槽的氯化钙反应剂供注,直至出 口钙离子分析检测器所量测之该系统出流废水钙 离子浓度低于该一预定値。 6.如申请专利范围第5项所述之混凝沉降法处理含 氟废水系统,其更包含有一氟化钙混凝槽,可接受 氟离子反应槽之出水并以混凝剂使氟化钙混凝化 而利于氟化钙之沉淀。 7.如申请专利范围第5项所述之混凝沉降法处理含 氟废水系统,其更包含有一氟化钙胶凝槽,可接受 氟离子反应槽之出水并以胶凝剂使氟化钙胶凝化 而利于氟化钙之沉淀。 8.如申请专利范围第5项所述之混凝沉降法处理含 氟废水系统,其更包含有一酸硷値调节剂供应槽, 可对氟离子反应槽供应酸硷値调节剂而利于氟化 钙之形成反应。 图式简单说明: 图1为一流程图,其中显示依据本创作一较佳实施 例之混凝沉降法处理含氟废水之处理系统; 图2显示依据本创作前馈控制下之反应剂溶液注入 比调整情形; 图3显示依据本创作回馈控制下之反应剂溶液注入 比调整情形; 图4显示依据本创作另一前馈控制下之反应剂溶液 注入比调整情形; 图5显示依据本创作另一回馈控制下之反应剂溶液 注入比调整情形;与 图6显示依据本创作又另一回馈控制下之反应剂溶 液注入比调整情形。 |
