具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构

摘要

一种具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其包括：一基板单元、一发光单元、及一封装胶体单元。其中，该基板单元系具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。该发光单元系具有复数个设置于该基板本体上之发光二极体晶片，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端。该封装胶体单元系具有复数个分别覆盖于该等发光二极体晶片上之封装胶体，其中每一个封装胶体之上表面及前表面系分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloidlight-exiting surface)。

主权项

1.一种具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶 片封装结构,其包括: 一基板单元; 一发光单元,其具有复数个电性连接地设置于该基 板单元上之发光二极体晶片;以及 一封装胶体单元,其具有复数个分别覆盖于该等发 光二极体晶片上之封装胶体,其中每一个封装胶体 之上表面及前表面系分别具有一胶体弧面(colloid cambered surface)及一胶体出光面(colloid light-exiting surface)。 2.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该基板单 元系为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一 陶瓷基板、或一铜基板。 3.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该基板单 元系具有一基板本体、及分别形成于该基板本体 上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。 4.如申请专利范围第3项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该基板本 体系包括一金属层及一成形在该金属层上之电木 层(bakelite layer)。 5.如申请专利范围第3项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该正、负 极导电轨迹系为铝线路或银线路。 6.如申请专利范围第3项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个发 光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元 的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端。 7.如申请专利范围第6项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个发 光二极体晶片之正、负极端系透过两相对应之导 线并以打线(wire-bounding)的方式,以与该正、负极导 电轨迹产生电性连接。 8.如申请专利范围第6项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个发 光二极体晶片之正、负极端系透过复数个相对应 之锡球并以覆晶(flip-chip)的方式,以与该正、负极 导电轨迹产生电性连接。 9.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该等发光 二极体晶片系以一直线的排列方式设置于该基板 单元上。 10.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该等发光 二极体晶片系以复数条直线的排列方式设置于该 基板单元上。 11.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个封 装胶体系为由一矽胶(silicon)与一萤光粉(fluorescent powder)所混合形成之萤光胶体(fluorescent resin)。 12.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个封 装胶体系为由一环氧树脂(epoxy)与一萤光粉( fluorescent powder)所混合形成之萤光胶体(fluorescent resin)。 13.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,更进一步包括 :一框架单元,其系为一层覆盖于该基板单元上并 包覆每一个封装胶体而只露出该等胶体出光面( colloid light-exiting surface)之框架层。 14.如申请专利范围第13项所述之具有高效率侧向 发光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该框架 层系为不透光框架层(opaque frame layer)。 15.如申请专利范围第14项所述之具有高效率侧向 发光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该不透 光框架层系为白色框架层(white frame layer)。 16.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发 光效果之发光二极体晶片封装结构,更进一步包括 :一框架单元,其具有复数个分别覆盖该等封装胶 体而只露出每一个封装胶体的胶体出光面(colloid light-exiting surface)之框体,其中该等框体系彼此分 离地设置于该基板单元上。 17.如申请专利范围第16项所述之具有高效率侧向 发光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该等框 体系为不透光框体(opaque frame body)。 18.如申请专利范围第17项所述之具有高效率侧向 发光效果之发光二极体晶片封装结构,其中该等不 透光框体系为白色框体(white frame body)。 图式简单说明: 第一图系为习知发光二极体之第一种封装方法之 流程图; 第二图系为习知发光二极体之第二种封装方法之 流程图; 第三图系为习知发光二极体应用于侧向发光之示 意图; 第四图系为本创作封装方法之第一实施例之流程 图; 第四a图至第四f图分别为本创作封装结构之第一 实施例之封装流程立体示意图; 第四A图至第四F图分别为本创作封装结构之第一 实施例之封装流程剖面示意图; 第五图系为本创作发光二极体晶片透过覆晶(flip- chip)的方式达成电性连接之示意图; 第六图系为本创作第四C图未灌入封装胶体前之示 意图; 第七图系为本创作封装方法之第二实施例之流程 图; 第七a图至第七b图分别为本创作封装结构之第二 实施例之部分封装流程立体示意图; 第七A图至第七B图分别为本创作封装结构之第二 实施例之部分封装流程剖面示意图; 第八a图系为本创作封装结构之第三实施例之部分 封装流程立体示意图; 第八A图系为本创作封装结构之第三实施例之部分 封装流程剖面示意图;以及 第九图系为本创作发光二极体晶片之封装结构应 用于侧向发光之示意图。