| 发明名称 | 光强度调节的场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有光强度调节的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。与传统的场效应晶体管不同，电流的形成不是靠电场或磁场，而是靠光场，且电流的大小可由光的强度来调控。所述的场效应晶体管是以高掺杂硅为基材，在热氧化的二氧化硅表面用光刻技术制备Ti/Au阵列电极对，将含氮化碳/碳纳米管的四氯化碳和二氯苯溶液滴在带电极对的二氧化硅表面，在氮化碳/碳纳米管的两端原位沉积Pt电极引线与Ti/Au电极相连。单根氮化碳/碳纳米管为场效应晶体管的半导体材料。Ti/Au电极对分别作为场效应晶体管的源、漏电极，高掺杂硅基材反面的金电极为场效应晶体管的栅电极。该场效应晶体管的源漏电流可由光的强度来调控。 | ||
| 申请公布号 | CN100375297C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200410101837.1 | 申请日期 | 2004.12.27 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 刘云圻;肖恺;孙艳明;胡平安;翟锦;于贵;胡文平;江雷;朱道本 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/0256(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/101(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 李柏 |
| 主权项 | 1.一种光强度调节的场效应晶体管，其特征是：所述的场效应晶体管是一种由光强度来调节光电流大小的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北一街2号 | ||