| 发明名称 | 内埋电容元件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种内埋电容元件结构及其制造方法。该内埋电容元件结构包括：介电层、第一导电层、第二导电层、第一嵌板以及第二嵌板。其中介电层具有一厚度。第一导电层位于介电层的一侧，且具有第一电性。第二导电层位于介电层上相对于第一导电层的另一侧，且具有第二电性。第一嵌板嵌设于介电层之中，与第一导电层电性连结。第二嵌板嵌设于介电层之中，与第二导电层电性连结，且与第一嵌板相距有一段距离。 | ||
| 申请公布号 | CN101141849A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710164048.6 | 申请日期 | 2007.10.11 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 王永辉;欧英德;洪志斌 |
| 分类号 | H05K1/16(2006.01);H01L23/498(2006.01);H01L21/48(2006.01) | 主分类号 | H05K1/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种内埋电容元件结构，其特征在于包括：一介电层，具有一厚度；一第一导电层，位于该介电层的一侧，其中该第一导电层具有一第一电性；一第二导电层，位于该介电层上相对于该第一导电层的另一侧，其中该第二导电层具有一第二电性；一第一嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第一导电层电性连结；以及一第二嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第二导电层电性连结，且与该第一嵌板相距有一距离。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市 | ||