| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理装置，包括一真空腔、一上电极、一下电极及一基座。上电极与下电极设置于真空腔内。真空腔具有一底部，而基座设置于真空腔的底部，下电极则设置于基座上。基座与真空腔的底部形成一基座空间，而基座空间内的气流与真空腔的气流实质上隔绝。采用本发明的等离子体处理装置，不但能够减少真空腔中尘埃与副产物飘移至基板的机会，并且还能够减少真空腔中的扰流效应，提升基板蚀刻或沉积的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN101140860A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710180882.4 | 申请日期 | 2007.10.19 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 郑志兴;罗时朋;陈振松;谢宗桦;赖宏裕 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/67(2006.01);C23F4/00(2006.01);C23C16/513(2006.01);C23C16/509(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01);H05H1/46(2006.01);B01J3/03(2006.01);G02F1/1333(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵丽丽 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：真空腔，该真空腔具有底部；上电极与下电极，其设置于该真空腔内；以及基座，其设置于该真空腔的底部，所述下电极设置于该基座上，该基座与真空腔的底部形成一基座空间，其中该基座空间内的气流与该真空腔的气流实质上隔绝。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||