| 发明名称 | 将非晶硅转换为多晶硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种将非晶硅转换为多晶硅的方法，主要包括：提供一非晶硅基板，并对该非晶硅基板进行一惰性气体原子掺杂(doping)工序；以及提对该非晶硅基板的表面升温而进行而进行用准分子激光对掺杂后的非晶硅基板进行退火，使非晶硅转换为多晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN100373562C | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN03137831.5 | 申请日期 | 2003.05.21 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 张茂益;许建宙;陈明炎;吕明仁 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L21/477(2006.01);H01L21/822(2006.01);G02F1/13(2006.01);C30B28/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种将非晶硅转换为多晶硅的方法，其特征在于，主要包括：提供一非晶硅基板，并对该非晶硅基板进行一惰性气体原子掺杂工序；以及提供对该非晶硅基板的表面升温而进行用准分子激光对掺杂后的非晶硅基板进行退火，使非晶硅转换为多晶硅。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市科学工业园区力行二路1号 | ||