发明名称 |
具有不均匀间隔的凹槽的化学机械抛光垫 |
摘要 |
一种具有圆形抛光轨迹(124)和同心中心(116)的化学机械抛光垫(100)。所述抛光垫(100)具有抛光层(104),该抛光层(104)具有凹槽图案,所述凹槽图案包括多个凹槽(128),每个凹槽(128)各自延伸穿过所述抛光轨迹(124)。所述多个凹槽具有沿着围绕所述抛光垫(100)的同心中心(116)的圆周方向变化的角节距,所述晶片轨迹(124)内所有相邻凹槽(128)之间的径向节距是不相等的。 |
申请公布号 |
CN101134291A |
申请公布日期 |
2008.03.05 |
申请号 |
CN200710147215.6 |
申请日期 |
2007.08.29 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
发明人 |
C·L·埃尔穆蒂;G·P·马尔多尼 |
分类号 |
B24B29/00(2006.01);B24D17/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) |
主分类号 |
B24B29/00(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
沙永生 |
主权项 |
1.一种抛光垫,其包括:a)设计用来在抛光介质的存在下对磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种进行抛光的抛光层,所述抛光层包括抛光面,该抛光面具有同心中心,在抛光晶片的过程中在其上形成的晶片轨迹,以及外部周边,所述晶片轨迹具有内部边界和与所述内部边界间隔开的外部边界;b)位于所述抛光面中的多个凹槽,所述多个凹槽中的各个凹槽延伸穿过所述晶片轨迹,从而与内部边界和外部边界相交叉,所述多个凹槽的角节距以预定的方式变化,对于晶片轨迹中所有相邻的凹槽,沿着从同心中心到外部周边的径向方向测量的凹槽之间的径向节距是不相等的;c)还包括位于所述晶片轨迹中的多个凹槽组,所述多个凹槽组各自由多个凹槽形成。 |
地址 |
美国特拉华州 |