有机半导体元件及其制造方法

摘要

一种有机半导体元件的制造方法，此方法是在基底上依序形成栅极导体层与栅介电层。然后，在栅极导体层两侧的栅介电层上分别形成图案化金属层，接着，在各个图案化金属层的上表面以及相邻的侧壁上分别形成一电极改质层，其与所覆盖的图案化金属层构成一源极/漏极。之后，在二源极/漏极之间及其上方形成一有机半导体层，以做为一有源层。

主权项

1.一种有机半导体元件的制造方法，包括：在基底上形成栅极导体层；在该基底与该栅极导体层上形成栅介电层；在该栅极导体层两侧的该栅介电层上分别形成图案化金属层；于各该图案化金属层的上表面以及相邻的侧壁上分别形成电极改质层，各该图案化金属层与其上所覆盖的该电极改质层做为源极/漏极；以及在该源极/漏极之间及其上方形成有机半导体层，以做为有源层。