| 发明名称 | 半导体处理用的成膜方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101135046A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710147867.X | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 长谷部一秀;周保华;梅泽好太;门永健太郎;张皓翔 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01);C23C16/52(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/365(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜，反复进行多次下述循环，叠层在每个所述循环中形成的薄膜，由此形成具有规定厚度的所述绝缘膜，该循环交替地包括：第一工序，向所述处理区域供给所述第一处理气体、和所述第三与第四处理气体之一的先行气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第二处理气体、和所述第三与第四处理气体中另一种的后行气体；第二工序，向所述处理区域供给所述后行气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第二处理气体和所述先行气体；和第三工序，向所述处理区域供给所述第二处理气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第一处理气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||