| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成布线层；在该布线层上形成具有一开口的抗蚀层，该开口用于在该布线层上形成一柱状电极，并且利用该抗蚀层在该开口中形成一导电金属作为该柱状电极，使得该导电金属的厚度超过该抗蚀层的厚度；在除去该抗蚀层之后，在该半导体衬底上形成封装树脂；进行使所形成的封装树脂的厚度变小的处理。本发明可以防止在形成外部连接端子时和在安装半导体器件时相邻外部连接端子的短路(桥接)；此外，通过使外部连接端子和封装树脂彼此分离，可以使封装树脂变薄，并且可以减小半导体器件中存在的弯曲量。 | ||
| 申请公布号 | CN101136344A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710182321.8 | 申请日期 | 2004.09.30 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 爱场喜孝;野本隆司 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/56(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成布线层；在该布线层上形成具有一开口的抗蚀层，该开口用于在该布线层上形成一柱状电极，并且利用该抗蚀层在该开口中形成一导电金属作为该柱状电极，使得该导电金属的厚度超过该抗蚀层的厚度；在除去该抗蚀层之后，在该半导体衬底上形成封装树脂；进行使所形成的封装树脂的厚度变小的处理。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||