| 发明名称 | 半导体硅片液态源扩散炉 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体硅片液态源扩散炉，该装置包括：扩散炉管和喷源石英管。扩散炉管为两端开放式结构，在炉管的内壁安装有2根～10根喷源石英管，其直径为φ2～φ10mm，喷源石英管的管壁分布着孔径大小均匀的毛细孔，喷源石英管的出口端连接液态扩散源的源瓶。本发明解决了扩散炉中气源扩散不均匀的问题，达到了生产效率高、扩散均匀等有益效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101136325A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200610030727.X | 申请日期 | 2006.08.31 |
| 申请人 | 上海航天汽车机电股份有限公司;上海太阳能科技有限公司 | 发明人 | 符育刚;袁晓;李红波 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 上海航天局专利中心 | 代理人 | 张绪成 |
| 主权项 | 1.一种半导体硅片液态源扩散炉，包括扩散炉管和喷源石英管：其特征在于，扩散炉管为两端开放式结构，在炉管的内壁安装有直径较细的喷源石英管，石英管的管壁上分布着孔径大小均匀的毛细孔，石英管的出口端连接液态扩散源的源瓶。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区榕桥路661号 | ||