| 发明名称 | 导电、耐等离子体的构件 | ||
| 摘要 | 一种适于暴露在卤素基气体等离子体气氛中的导电、等离子体耐受性构件，该构件包括基材，所述基材在有待暴露于等离子体中的至少部分区域上形成有热喷涂涂层，该热喷涂涂层由金属钇或金属钇与氧化钇和/或氟化钇混合物构成从而具有导电性。由于该构件具有导电性，并且对卤素基腐蚀性气体或其等离子体具有改良的耐腐蚀性，因此在半导体制造设备或平板显示器制造设备中可以抑制因等离子体刻蚀导致的颗粒污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101135033A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710182172.5 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 前田孝雄;牧野勇一;中野瑞;植原一郎 |
| 分类号 | C23C4/00(2006.01);C23C14/00(2006.01);C23C16/50(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | C23C4/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 1.一种导电、等离子体耐受性构件，其适于暴露在卤素基气体等离子体气氛中，该构件包括基材，所述基材在其有待暴露于等离子体中的至少部分区域上形成有热喷涂涂层，该热喷涂涂层由金属钇或金属钇与氧化钇和/或氟化钇的混合物构成从而赋予导电性。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||