| 主权项 |
1.一种量测系统,用以量测一发光二极体的温度特 性,其中该量测系统至少包含: 一环境控制装置,具有一容置空间,其中该发光二 极体系设置于该容置空间中; 一介质,填充于该环境控制装置的该容置空间中, 并包覆住该发光二极体,其中该介质系绝缘材质, 且该介质在该容置空间内的温度操作范围系实质 介于-55度(℃)与140度(℃)之间; 一温度控制装置,用以控制该容置空间内的温度; 以及 一光学量测装置,用以量测该发光二极体的光学特 性。 2.如申请专利范围第1项所述之量测系统,更至少包 含: 一控制单元,电性连接于该温度控制装置和该光学 量测装置,以该温度控制装置和该光学量测装置。 3.如申请专利范围第2项所述之量测系统,其中该控 制单元系一电脑主机或一微控制晶片。 4.如申请专利范围第1项所述之量测系统,更至少包 含: 一电源电表(Source Meter),用以侦测该发光二极体的 电压或电流。 5.如申请专利范围第1项所述之量测系统,其中该环 境控制装置设有一均温装置,该均温装置系设置于 该容置空间中,用以对该介质进行搅拌动作。 6.如申请专利范围第5项所述之量测系统,其中该均 温装置系一磁力搅拌棒。 7.如申请专利范围第5项所述之量测系统,其中该均 温装置系一马达和至少一叶片。 8.如申请专利范围第1项所述之量测系统,其中该介 质在该容置空间内的温度操作范围系实质介于-40 度(℃)与125度(℃)之间。 9.如申请专利范围第1项所述之量测系统,其中该介 质为油质材料。 10.如申请专利范围第9项所述之量测系统,其中该 介质为矽油。 11.如申请专利范围第1项所述之量测系统,其中该 介质为超纯水(Ultrapure Water)。 12.如申请专利范围第1项所述之量测系统,其中该 温度控制装置至少包含: 一加热装置,用以对该介质进行加热; 一冷却装置,用以对该介质进行冷却;以及 一温度控制器,电性连接于该加热装置和该冷却装 置,用以控制该加热装置和该冷却装置。 13.如申请专利范围第12项所述之量测系统,其中该 加热装置为加热线圈或冷热二极体。 14.如申请专利范围第12项所述之量测系统,其中该 冷却装置为冷却压缩机、冷热二极体或液态气体 冷却装置。 15.如申请专利范围第1项所述之量测系统,其中该 光学量测装置所量测的光学特性为光通量、光分 布、亮度、光谱分布、色度座标、显色指数或发 光效率。 16.如申请专利范围第1项所述之量测系统,其中该 光学量测装置至少包含: 一侦测器,用以侦测该发光二极体的光学特性;以 及 一隔绝透镜,设置该侦测器上,用以隔绝该介质,并 允许光线透过。 17.如申请专利范围第16项所述之量测系统,其中该 光学量测装置的该侦测器和该隔绝透镜之间具有 真空处理或设有除湿剂材料。 18.一种量测系统,用以量测一发光二极体的温度特 性,其中该量测系统至少包含: 一环境控制装置,设有一容置空间和一均温装置, 其中该发光二极体系设置于该容置空间中,该均温 装置系设置于该容置空间中,用以对该介质进行搅 拌动作; 一介质,填充于该环境控制装置的该容置空间中, 并包覆住该发光二极体,其中该介质系绝缘材质, 且该介质在该容置空间内的温度操作范围系实质 介于-55度(℃)与140度(℃)之间; 一温度控制装置,用以控制该容置空间内的温度, 其中该温度控制装置至少包含: 一加热装置,用以对该介质进行加热; 一冷却装置,用以对该介质进行冷却;以及 一温度控制器,电性连接于该加热装置和该冷却装 置,用以控制该加热装置和该冷却装置;以及 一光学量测装置,用以量测该发光二极体的光学特 性。 19.如申请专利范围第18项所述之量测系统,更至少 包含: 一控制单元,电性连接于该温度控制装置和该光学 量测装置,以该温度控制装置和该光学量测装置。 20.如申请专利范围第19项所述之量测系统,其中该 控制单元系一电脑主机或一微控制晶片。 21.如申请专利范围第18项所述之量测系统,更至少 包含: 一电源电表(Source Meter),用以侦测该发光二极体的 电压或电流。 22.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 均温装置系一磁力搅拌棒。 23.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 均温装置系一马达和至少一叶片。 24.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 介质在该容置空间内的温度操作范围系实质介于- 40度(℃)与125度(℃)之间。 25.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 介质为油质材料。 26.如申请专利范围第25项所述之量测系统,其中该 介质为矽油。 27.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 介质为超纯水(Ultrapure Water)。 28.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 加热装置为加热线圈或冷热二极体。 29.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 冷却装置为冷却压缩机、冷热二极体或液态气体 冷却装置。 30.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 光学量测装置所量测的光学特性为光通量、光分 布、亮度、光谱分布、色度座标、显色指数或发 光效率。 31.如申请专利范围第18项所述之量测系统,其中该 光学量测装置至少包含: 一侦测器,用以侦测该发光二极体的光学特性;以 及 一隔绝透镜,设置该侦测器上,用以隔绝该介质,并 允许光线透过。 32.如申请专利范围第31项所述之量测系统,其中该 光学量测装置的该侦测器和该隔绝透镜之间具有 真空处理或设有除湿剂材料。 图式简单说明: 第1图系绘示依照本新型第一实施例之量测系统的 系统方块示意图。 第2图系绘示依照本新型第一实施例之量测系统的 系统示意图。 第3图系绘示依照本新型第二实施例之量测系统的 系统示意图。 |
