| 主权项 |
1.一种形成多晶矽薄膜电晶体之多晶矽膜的方法, 该方法包括一个下列的步骤:使用一光罩图案将雷 射光束照射在一沉积于一玻璃基板上的非晶矽膜, 该光罩图案具有至少两个区域,该两个区域的透过 区并不相互交替重叠;以及将雷射光束照射在沉积 于此玻璃基板上的非晶矽,而该玻璃基板移动了一 个对应光罩图案之区域的单位距离,其中,接下来 的雷射光束之照射,结晶化了非晶矽,使得晶粒能 够以圆形形状生长。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述光罩图形 被划分为长度相当的三个区域,各区域包含数个具 六个三角形区的六角形单位晶胞,各六角形单位晶 胞中之两个相对的三角形形成一透过区,其余四个 相对的三角形形成一非透过区,形成于各区之透过 区的位置并不相同。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中玻璃基板被水 平的移动了预定距离,该距离与形成于光罩图案之 各区长度一致。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中雷射照射制程 以足以完全融解非晶矽膜之能量施行。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中雷射照射制程 系藉由使用一脉冲持续延长器,让脉冲持续时间增 长而施行。 图式简单说明: 第1图为根据习见之连续横向结晶法生长之多晶矽 膜的微结构摄影图; 第2图显示依本发明之一具体实施例用于多晶矽膜 形成方法中之光罩; 第3图系根据本发明之一具体实施例说明多晶矽膜 之形成方法; 第4图显示经由本发明之一具体实施例形成之多晶 矽膜的微结构。 |
