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发明名称
垂直式内埋电容基板之制作方法及其结构
摘要
一种垂直式内埋电容基板之制作方法及其结构,主要包含提供复数个导通层,该些导通层系由一导线层及一第一介电层所组成,该导线层系形成于该第一介电层上;提供复数个复合层,该些复合层系由一图案化电极层及一第二介电层所组成,该图案化电极层系形成于该第二介电层上;压合该些导通层及该些复合层以形成一块体,该块体系定义有复数个垂直式内埋电容基板及在该些垂直式内埋电容基板间之复数个切割道;以及沿着该些切割道切割该块体,以单体化分离该些垂直式内埋电容基板。
申请公布号
TW200812029
申请公布日期
2008.03.01
申请号
TW095132072
申请日期
2006.08.30
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
廖国成
分类号
H01L23/48(2006.01);H05K1/16(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
张启威
主权项
地址
高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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