| 主权项 |
1.一种固态影像拾取装置,其中会于一半导体基板 上的井区中以二维方式阵列排列含有一光电转换 部的复数个像素,该光电转换部具有一电荷累积区 用以累积信号电荷,该固态影像拾取装置包括: 一元件隔离绝缘膜,其会电气隔离该井区表面上的 该等像素; 一第一隔离扩散层,其会电气隔离该元件隔离绝缘 膜下方的该等像素;以及 一第二隔离扩散层,其会电气隔离该第一隔离扩散 层下方的该等像素,其中该电荷累积区系设置在被 该第一隔离扩散层与该第二隔离扩散层包围的井 区之中,该第一隔离扩散层中对应于该电荷累积区 与该第一隔离扩散层间之边界的内周围部会构成 一突出区,突出在该电荷累积区之中,于该突出区 中会混合具有该第一隔离扩散层之导电类型的杂 质及具有该电荷累积区之导电类型的杂质,以及该 电荷累积区中对应于该电荷累积区与该第二隔离 扩散层间之边界的部份系设置在该突出区下方且 邻接或靠近该第二隔离扩散层来设置。 2.如请求项1之固态影像拾取装置,其中该第二隔离 扩散层系设置以延伸于该井区的深度方向中。 3.如请求项1之固态影像拾取装置,其中该光电转换 部包括一层叠在该电荷累积区上之电洞累积层。 4.一种制造固态影像拾取装置之方法,其中会于一 半导体基板上的井区中以二维方式阵列排列含有 一光电转换部的复数个像素,该光电转换部具有一 电荷累积区用以累积信号电荷,该方法包括下面步 骤: 于该井区表面上形成一元件隔离绝缘膜,该元件隔 离绝缘膜会电气隔离该等像素; 于该井区中形成一第一隔离扩散层,该第一隔离扩 散层会电气隔离该元件隔离绝缘膜下方的该等像 素,且具有一突出区,其中该第一隔离扩散层中对 应于邻接该电荷累积区之边界的内周围部会突出 在该电荷累积区之中; 于该井区中形成一第二隔离扩散层,该第二隔离扩 散层会电气隔离该第一隔离扩散层下方的该等像 素;以及 于该井区中为每个像素形成该光电转换部,其中该 光电转换部会藉由该元件隔离绝缘膜、该第一隔 离扩散层、以及该第二隔离扩散层而相互电气隔 离,其中形成该光电转换部的步骤包含下面步骤: 于被该第一隔离扩散层及该第二隔离扩散层及该 第一隔离扩散层的突出区包围的井区之中植入杂 质离子,用以形成该电荷累积区;以及 热扩散利用该离子植入步骤被植入该井区之中的 杂质,俾使该电荷累积区中对应于该电荷累积区与 该第二隔离扩散层间之边界的部份会被设置在该 突出区下方且系邻接或靠近该第二隔离扩散层来 设置。 5.一种制造固态影像拾取装置之方法,其中会于一 半导体基板上的井区中以二维方式阵列排列含有 一光电转换部的复数个像素,该光电转换部具有一 电荷累积区用以累积信号电荷,该方法包括下面步 骤:于该井区表面上形成一元件隔离绝缘膜,该元 件隔离绝缘膜会电气隔离该等像素; 于该井区中形成一第一隔离扩散层,该第一隔离扩 散层会电气隔离该元件隔离绝缘膜下方的该等像 素,且具有一突出区,其中该第一隔离扩散层中对 应于邻接该电荷累积区之边界的内周围部会突出 在该电荷累积区之中; 于该井区中形成一第二隔离扩散层,该第二隔离扩 散层会电气隔离该第一隔离扩散层下方的该等像 素;以及 于该井区中为每个像素形成该光电转换部,其中该 光电转换部会藉由该元件隔离绝缘膜、该第一隔 离扩散层、以及该第二隔离扩散层而相互电气隔 离,其中形成该光电转换部的步骤包含下面步骤: 于被该第一隔离扩散层及该第二隔离扩散层包围 的井区之中植入杂质离子,用以形成该电荷累积区 ;以及 热扩散利用该离子植入步骤被植入该井区之中的 杂质,俾使该电荷累积区中对应于该电荷累积区与 该第二隔离扩散层间之边界的部份会被设置在该 突出区下方且系邻接或靠近该第二隔离扩散层来 设置,而且该第一隔离扩散层的突出区的形成状态 系混合具有该第一隔离扩散层之导电类型的杂质 及具有该电荷累积区之导电类型的杂质。 6.如请求项4或5之制造固态影像拾取装置之方法, 其中该第二隔离扩散层系形成用以延伸于该井区 的深度方向中。 7.如请求项4或5之制造固态影像拾取装置之方法, 其中该光电转换部包括一层叠在该电荷累积区上 之电洞累积层。 图式简单说明: 图1为根据本发明的第一具体实施例用于制造一固 态影像拾取装置之一制程中相关部份的结构的图; 图2为根据本发明的第一具体实施例用于制造该固 态影像拾取装置之制程中相关部份的结构的图; 图3为根据本发明的第一具体实施例用于制造该固 态影像拾取装置之制程中相关部份的结构的图; 图4为根据本发明的第二具体实施例用于制造一固 态影像拾取装置之一制程中相关部份的结构的图; 图5为根据本发明的第二具体实施例用于制造该固 态影像拾取装置之制程中相关部份的结构的图; 图6为根据本发明的第二具体实施例用于制造该固 态影像拾取装置之制程中相关部份的结构的图;以 及 图7为一已知一般的CMOS影像感测器之概略结构的 剖面图。 |
