发明名称 半导体微影光罩及其制造方法
摘要 一种微影光罩包含一个位于独立或半独立区域的设计特征,以及复数个垂直于设计特征的平行线型辅助特征。这些平行线型辅助特征包含位于设计特征两边的两组平行辅助特征。第一组平行辅助特征位于设计特征的第一边上,且垂直于设计特征。第二组平行辅助特征位于设计特征的第二边上,且垂直于设计特征。
申请公布号 TWI293719 申请公布日期 2008.02.21
申请号 TW095135270 申请日期 2006.09.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 严永松;陈桂顺;赖建文;蔡澄贤
分类号 G03F1/14(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F1/14(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种应用于微影技术之光罩,至少包含: 一设计特征,位于光罩上之独立或半独立区域;以 及 复数个平行线型辅助特征,垂直于该设计特征。 2.如申请专利范围第1项所述之应用于微影技术之 光罩,其中该些平行线型辅助特征至少包含: 第一组平行线型辅助特征,位于该设计特征之一第 一边上,且与其垂直;以及 第二组平行线型辅助特征,位于该设计特征之一第 二边上,且与其垂直。 3.如申请专利范围第1项所述之应用于微影技术之 光罩,其中该设计特征包含一独立线型特征。 4.如申请专利范围第3项所述之应用于微影技术之 光罩,更包含第二组半独立线型特征,且该些第二 组半独立线型特征彼此平行,且与位于两平行半独 立线型特征间的该些平行线型辅助特征相互平行 。 5.如申请专利范围第4项所述之应用于微影技术之 光罩,更包含第二组平行线型辅助特征,且该些第 二组之平行线型辅助特征平行位于该两个平行半 独立线型特征之间。 6.如申请专利范围第1项所述之应用于微影技术之 光罩,其中该些平行线型辅助特征为非透明。 7.如申请专利范围第1项所述之应用于微影技术之 光罩,其中该些平行线型辅助特征为透明。 8.如申请专利范围第1项所述之应用于微影技术之 光罩,更包含复数个平行线型辅助特征,平行于该 设计特征。 9.一种制作光罩的方法,包含下列步骤: 形成一第一非稠密线型特征在光罩上;以及 形成复数个平行线型辅助特征,垂直于该第一非稠 密线型特征。 10.如申请专利范围第9项所述之制作光罩的方法, 更包含: 形成一第二非稠密线型特征在光罩上,平行于该第 一非稠密线型特征,其中形成平行线型辅助特征之 方法更包含: 加入第一组平行线型辅助特征,位于该第一及第二 非稠密平行线型特征之间,且垂直于该第一及第二 非稠密平行线型特征;以及 加入第二组平行线型辅助特征,位于该第一及第二 非稠密平行线型特征之间,且平行于该第一及第二 非稠密平行线型特征。 11.如申请专利范围第10项所述之制作光罩的方法, 更包含: 形成一第三非稠密线型特征在光罩上,平行于该第 二非稠密线型特征,其中形成平行线型辅助特征之 方法更包含: 加入第三组平行线型辅助特征,位于该第三与第二 非稠密平行线型特征之间,且垂直于该第三与第二 平行非稠密线型特征;以及 加入第四组平行线型辅助特征,位于该第三与第二 非稠密平行线型特征之间,且平行于该第三与第二 平行非稠密线型特征。 12.如申请专利范围第9项所述之制作光罩的方法, 其中形成该些平行线型辅助特征之方法更包含: 加入第一组平行线型辅助特征,位于该第一非稠密 线型特征的一第一边上且与其垂直;以及 加入第二组平行线型辅助特征,位于该第一非稠密 线型特征的一第二边上且与其垂直。 13.如申请专利范围第9项所述之制作光罩的方法, 更包含运用该光罩来执行的微影制程。 14.一种半导体元件,至少包含: 至少一非稠密线型特征,位于一半导体元件的第一 层上;以及 复数个平行线型辅助特征,位于该半导体元件的第 一层上且垂直于该非稠密线型特征。 15.如申请专利范围第14项所述之半导体元件,其中 该非稠密线型特征为一金属线,且该些平行线型辅 助特征为金属结构。 16.如申请专利范围第15项所述之半导体元件,其中 该非稠密线型特征为一导线,且该些平行线型辅助 特征为非传导虚设的金属线。 17.如申请专利范围第14项所述之半导体元件,更包 含复数个第二平行线型辅助特征,且该些第二平行 线型辅助特征平行于该非稠密线型特征。 18.如申请专利范围第14项所述之半导体元件,其中 该些平行线型辅助特征至少包含: 第一组平行线型辅助特征,位于该第一非稠密线型 特征与一第二非稠密平行线型特征之间,并且垂直 于该第一及第二非稠密平行线型特征;以及 第二组平行线型辅助特征,位于该第二非稠密线型 特征与一第三非稠密平行线型特征之间,并且垂直 于该第二及第三非稠密平行线型特征。 19.如申请专利范围第14项所述之半导体元件,其中 该些平行线型辅助特征更包含: 第一组平行线型辅助特征,位于该非稠密线型特征 的一第一边上且与其垂直;以及 第二组平行线型辅助特征,位于该非稠密线型特征 的一第二边上且与其垂直。 20.如申请专利范围第14项所述之半导体元件,其中 该些线型辅助特征更包含: 第一组平行线型辅助特征,位于该非稠密线型特征 的一第一边上且与其垂直;以及 第二组平行线型辅助特征,位于该非稠密线型特征 的一第一边上且与其平行。 图式简单说明: 第1图是绘示依照本发明一较佳实施例的一种微影 系统之示意图。 第2图是绘示依照本发明一较佳实施例的一种含有 垂直散射条纹的光罩之概略示意图。 第3图是绘示依照本发明一较佳实施例的一种含有 中心散射条纹的光罩之概略示意图。 第4图是绘示依照本发明一较佳实施例的一种含有 边缘散射条纹的光罩之概略示意图。 第5图是绘示依照本发明另一较佳实施例的一种含 有散射条纹的光罩之概略示意图。 第6图是绘示依照本发明又一较佳实施例的一种含 有散射条纹的光罩之概略示意图。 第7图是绘示依照本发明一较佳实施例的一种增加 以及排列散射条纹至光罩的方法之概略流程图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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