| 发明名称 | 二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源 | ||
| 摘要 | 本发明涉及二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源。一种形成作为电子器件中高k电介质的金属硅酸盐的方法，包括步骤：提供二乙基硅烷至反应区；同时提供氧源至该反应区；同时提供金属前驱体到该反应区；通过化学气相沉积使该二乙基硅烷、氧源和金属前驱体发生反应，以在包括该电子器件的衬底上形成金属硅酸盐。该金属优选为铪、锆或其混合物。该金属硅酸盐膜的介电常数可以基于膜中的金属、硅、和氧的相对原子浓度进行调节。 | ||
| 申请公布号 | CN101125659A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200710128801.6 | 申请日期 | 2007.05.30 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | R·D·克拉克;K·S·库特希尔;H·思里丹达姆;A·K·霍克伯格 |
| 分类号 | C01B33/20(2006.01) | 主分类号 | C01B33/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温宏艳;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种形成作为电子器件中高k电介质的金属硅酸盐的方法，包括步骤：提供二乙基硅烷至反应区；同时提供氧源至该反应区；同时提供金属前驱体到该反应区；通过化学气相沉积使二乙基硅烷、氧源和金属前驱体发生反应，以在包括该电子器件的衬底上形成金属硅酸盐。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||