| 摘要 |
本发明揭示一种藉由移除容丝织切割区域上之氮化矽层之无边界接触制程而形成之熔丝。该熔丝形成于一半导体基板上，且包含：一形成于该半导体基板上之绝缘层(例如，一氧化物层)；一形成于该绝缘层上之熔丝层，其中该熔丝层包括至少一第一区域及第二区域；及一仅形成于该熔丝层之该地一区域上之氮化矽层。该熔丝层之该地一区域系形成用于将电应力施加至该容丝织接触孔之处，且该熔丝层之该地二区域系响应于施加至该容丝之电应力切割该熔丝之处。因移除该熔丝层之该地二区域上之该氮化矽层，故该氮化矽层不抑制响应于施加至该熔丝之电应力切割该熔丝。 |
