半导体熔丝结构及制造半导体熔丝结构之方法

摘要

本发明系有关一种半导体熔丝结构，其包括有一块具一表面之基板，该基板于该表面上具有一个场氧化区。该熔丝结构包括一个熔丝本体，该熔丝本体则由多晶矽组成。该熔丝本体位于该场氧化区上方，并朝电流方向延伸，其中该熔丝结构可藉使电流通过该熔丝本体而进行编程，其中该熔丝本体于电流方向上具有张应变，而于垂直该基板表面只方向上具有压应变。本发明更有关制造这种半导体熔丝的方法。