层间绝缘膜之乾蚀刻方法

摘要

【解决手段】本发明系为利用蚀刻气体，一边在设置于层间绝缘膜上的ArF光阻或KrF光阻上形成聚合物膜，一边细微加工层间绝缘膜之层间绝缘膜的乾蚀刻方法，其特征为：一边在0.5Pa以下的压力下导入前述蚀刻气体，形成在1200cm-1附近具有C-F结合的峰值、在1600cm-1附近具有C-N结合的峰值、及在3300cm-1附近具有C-H结合的峰值(利用傅立叶变换红外光谱仪所测定之光谱)之聚合物膜，一边进行蚀刻。