| 发明名称 |
DMOS-Transistor mit einer verbesserten Spannungsfestigkeit von Drain- und Sourcespannungen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE112005003575(A5) |
申请公布日期 |
2008.02.14 |
| 申请号 |
DE200511003575T |
申请日期 |
2005.09.07 |
| 申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG |
发明人 |
ROTH, ANDREAS |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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