发明名称 |
一种抑制二极管反向尖峰电压的电路 |
摘要 |
一种抑制二极管反向尖峰电压的电路,涉及一种无损耗吸收电路;包括一个嵌位二极管、一个嵌位电容,其特征在于还包括一个释放二极管和一个输出电感;所述嵌位二极管的正极接所述输出电感的原边,所述嵌位二极管的负极与所述嵌位电容相连,嵌位二极管和嵌位电容的连接点与所述释放二极管的正极连接,释放二极管的负极连接所述输出电感的副边,输出电感的原边和副边的另一端均与负载的正端相连;所述嵌位电容的另一端与负载的负端连接;本发明对输出整流二极管承受的反向电压能够有效地控制,提高了变换器的效率;适用于半波整流、全波整流和桥式整流电路。 |
申请公布号 |
CN100369371C |
申请公布日期 |
2008.02.13 |
申请号 |
CN02137130.X |
申请日期 |
2002.09.21 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
吴永钊;范爱珍 |
分类号 |
H02M7/06(2006.01) |
主分类号 |
H02M7/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种抑制二极管反向尖峰电压的电路,包括一个嵌位二极管Ds、一个嵌位电容Cs,其特征在于还包括一个释放二极管Dr和一个输出电感Lf2;所述嵌位二极管Ds的正极接所述输出电感Lf2的原边,所述嵌位二极管Ds的负极与所述嵌位电容Cs相连,嵌位二极管Ds和嵌位电容Cs的连接点与所述释放二极管Dr的正极连接,释放二极管Dr的负极连接所述输出电感Lf2的副边,输出电感Lf2的原边和副边的另一端均与负载的正端相连;所述嵌位电容Cs的另一端与负载的负端连接。 |
地址 |
518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 |