| 发明名称 | CMP研磨方法和半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 用设置为0.01到0.2psi的研磨压强来研磨具有布线图的基片，所述布线图在具有2或以下的介电常数的材料之间形成。结果，甚至在具有2或以下的介电常数的超低k材料用作绝缘材料的情况下，也能够进行满意的研磨。 | ||
| 申请公布号 | CN100369212C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200480010675.9 | 申请日期 | 2004.04.14 |
| 申请人 | 株式会社尼康 | 发明人 | 星野进;北出裕子;吉田典夫 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨林森;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种CMP研磨方法，其中，用设置为0.01到0.2psi的研磨压强来研磨具有2或以下的介电常数的SiO2材料的基片，并且研磨垫的表面的宏观平坦度维持在5μm或以下、基片的表面的宏观平坦度维持在3μm或以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||