| 发明名称 | 一种氧化物巨磁电阻自旋阀及包含其的设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化物巨磁电阻自旋阀。属于材料制造、传感及磁存储技术领域。本发明所涉及的自旋阀至少由四层薄膜组成，依次是反铁磁层、钉扎层、隔离层、自由层；各层材料均为氧化物。其制备工艺为溅射法或溶胶-凝胶法或脉冲激光沉积法，本发明所涉及的氧化物巨磁电阻自旋阀在磁场作用下，其电阻率明显降低，具有饱和场低，磁场灵敏度高等优点。特别适合于制备高灵敏度的传感器和磁存储器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100369117C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN02158961.5 | 申请日期 | 2002.12.31 |
| 申请人 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 发明人 | 于敦波;严辉;张深根;朱满康;颜世宏;杨红川;王波;徐静;应启明;张国成 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);H01L43/08(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种氧化物巨磁电阻自旋阀，其特征是：利用相应镀膜方法制备至少由四层氧化物薄膜组成的多层膜，依次是反铁磁层、钉扎层、隔离层、自由层；其中钉扎层和自由层为A1-xBxMO3型化合物；A为原子序数57至71元素的一种或多种，B为碱金属或碱土金属的一种或多种；M为原子序数22～30，40～51和73～80元素中的至少一种。 | ||
| 地址 | 100088北京市新街口外大街2号 | ||