| 发明名称 | 恒电阻率薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种恒电阻率薄膜材料Cu<SUB>3</SUB>NPd<SUB>x</SUB>及其磁控溅射法的制备方法，其中0.13＜X＜0.24，所用的靶材为纯度均为不低于99.9％的铜靶和钯靶，氮气作为反应气体，通过调节两者所占靶材面积来剪裁所沉积薄膜中钯的含量。Cu<SUB>3</SUB>NPd<SUB>x</SUB>薄膜材料的电阻率在5K～250K温度范围内相对变化＜1.0％，也就是说电阻率温度系数几乎为零。这种材料制造的电阻元器件在5K～250K温度变化的环境中使用，有较好的稳定性，因而更加可靠。更为重要的是，这种恒电阻率材料与合金恒电阻率材料有着完全不同的物理机制。 | ||
| 申请公布号 | CN100369161C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200510075059.8 | 申请日期 | 2005.06.08 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 曹则贤;纪爱玲;马利波;杜允 |
| 分类号 | H01B1/02(2006.01);H01C7/00(2006.01);H01C17/12(2006.01) | 主分类号 | H01B1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1.一种恒电阻率薄膜材料，其特征在于，所述恒电阻率薄膜材料的分子式为Cu3NPdx，其中，0.13＜X＜0.24。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||