基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法

摘要

基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH₄或乙硅烷Si₂H₆采用低压化学气相外延方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH₄采用低压化学气相外延技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。

主权项

1.基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：a)半导体衬底；b)在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；c)设有控制栅介电层和栅电极；其特征在于在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。