| 发明名称 | 垂直双沟道晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。 | ||
| 申请公布号 | CN101123275A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710139981.8 | 申请日期 | 2007.08.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹恩贞;李成泳;金旻相;金成玟;赵慧珍 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，包括：衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区；在第一和第二对覆盖源/漏区的各对源/漏区的覆盖源/漏区之间延伸的各第一和第二垂直沟道区；设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区的各第一和第二绝缘区；在第一和第二垂直沟道区的各沟道区上设置的各第一和第二栅绝缘体；以及第一和第二栅绝缘体之间的栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||