| 发明名称 | 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。 | ||
| 申请公布号 | CN101123184A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710142476.9 | 申请日期 | 2005.03.31 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 中田充 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);B23K26/06(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体薄膜制造装置，通过辐射激光束到由形成在绝缘衬底上的半导体薄膜构成的前体膜上，用于在前体膜上生长晶粒，该装置包括：用于成形激光束的光束成形掩模，其中掩模的主体在用于透射激光束的一部分透射区中具有屏蔽激光束的屏蔽图案。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||