| 发明名称 | 图形形成方法以及图形形成装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够防止在基板上发生处理不良的图形形成方法，包括：在作为基板的晶片W上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜并且涂敷保护液形成保护膜的工序(步骤2)；在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，使在晶片W上形成的抗蚀剂膜液浸曝光成规定图形的工序(步骤5)；对液浸曝光后的抗蚀剂膜进行显影的工序(步骤8)；和在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前，使用高折射率液体作为清洗液来清洗晶片W的工序(步骤4、6)。 | ||
| 申请公布号 | CN101123182A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710136194.8 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 山本太郎 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种图形形成方法，其特征在于：其是在基板上形成规定抗蚀剂图形的图形形成方法，包括：在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜的工序；使在基板上形成的抗蚀剂膜在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，液浸曝光成规定图形的工序；对液浸曝光后的抗蚀剂膜进行显影的工序；和在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前的至少一个时期，使用包含所述高折射率液体的有效成分的清洗液清洗基板的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||