| 发明名称 | 半导体器件芯片台面喷腐局部防护方法及装置 | ||
| 摘要 | 半导体器件芯片台面喷腐方法及装置，在芯片台面喷腐处理时，对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式，保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统，盖住芯片上需要保护的表面部分，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。整个装置至少包括一个保护罩，遮盖在芯片台面喷腐处理时，正好盖在芯片中心需要保护的部位，保护罩与芯片一起形成一个密封面，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩可以是通过吸附方式吸附在芯片表面上的，也可以是直接通过外力装置紧贴在芯片表面的。 | ||
| 申请公布号 | CN101123173A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710035781.8 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 张明;李继鲁;蒋谊;陈芳林 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/306(2006.01);C23F1/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人 | 赵洪 |
| 主权项 | 1.半导体器件芯片台面喷腐方法，其特征在于：在芯片台面喷腐处理时，对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式，保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。 | ||
| 地址 | 412001湖南省株洲市石峰区田心北门 | ||