| 主权项 |
1.一种电源供应晶片之双回路稳压电路,包含有: 一电容,设置于该双回路稳压电路之输出端,用以 提供一电压讯号; 一比较器,比较一第一参考电压讯号与该电压讯号 ,以输出一正向触发讯号或一反向触发讯号; 一第一开关,与该比较器之输出端连接,由该正向 触发讯号触发动作; 一第二开关,与该比较器之该输出端连接,由该反 向触发讯号触发动作; 一第一操作放大器,于该第一开关或该第二开关导 通时,该第一操作放大器之正向输入端接收一第二 参考电压讯号,并与该第一操作放大器之反向输入 端之讯号进行运算后,产生一第一驱动讯号; 第一电晶体开关,由该第一驱动讯号触发导通,以 提供电流供应之回路; 一第三开关,与该比较器之该输出端连接,由该正 向触发讯号触发动作; 一第四开关,与该比较器之该输出端连接,由该反 向触发讯号触发动作; 一第二操作放大器,于该第三开关与或该第四开关 导通时,该第二操作放大器之反向输入端接收该第 二参考电压讯号,并与第二操作放大器之正向输入 端之讯号进行运算后,产生一第二驱动讯号;及 第二电晶体开关,由该第二驱动讯号触发导通,以 提供电流吸入之回路。 2.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第一电晶体开关系为一N型金氧半导体电晶体 开关。 3.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第一电晶体开关系为一P型金氧半导体电晶体 开关。 4.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第二电晶体开关系为一N型金氧半导体电晶体 开 5.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第二电晶体开关系为一P型金氧半导体电晶体 开关 6.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第一开关为一双极性电晶体开关。 7.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第一开关为一金氧半导体电晶体开关。 8.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第二开关为一双极性电晶体开关。 9.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路,其 中该第二开关为一金氧半导体电晶体开关。 10.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路, 其中该第三开关为一双极性电晶体开关。 11.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路, 其中该第三开关为一金氧半导体电晶体开关。 12.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路, 其中该第四开关为一双极性电晶体开关。 13.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路, 其中该第四开关为一金氧半导体电晶体开关。 14.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路, 其中该第一操作放大器之输出端更与该第一电晶 体开关之闸极连接。 15.如申请专利范围第1项所述之双回路稳压电路, 其中该第二操作放大器之输出端更与该第二电晶 体开关之闸极连接。 图式简单说明: 第1图系为先前技术所提之稳压电路之电路图; 第2图系为本发明所提之电源供应晶片之电路方块 图; 第3图系为本发明所提之终端电压控制单元之电路 图; 第4A图系为先前技术之电压与电流波形示意图;及 第4B图系为本发明之电压与电流波形示意图。 |
