发明名称 | 电浆化学蒸气沉积法、氮化矽膜之形成方法、半导体装置之制造方法及电浆化学蒸气沉积装置 | ||
摘要 | 使用一种电浆处理装置,其具备可真空排气之处理室,和在处理室内放置被处理体的放置台,和产生微波之微波产生源,和具有复数槽并将微波产生源所产生之微波经由槽导入处理室内的平面天线,和对处理室内供给成膜原料气体的气体供给机构,和对放置台供给高频电力的高频电源;以微波将导入到处理室内之含氮气体与含矽气体电浆化,藉由此电浆在被处理基板表面堆积氮化矽膜之际,系对放置台供给高频电源。 | ||
申请公布号 | TW200807511 | 申请公布日期 | 2008.02.01 |
申请号 | TW096119586 | 申请日期 | 2007.05.31 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 鸿野真之;西田辰夫;中西敏雄 |
分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |