| 主权项 |
1.一种制造氧化铝沉积薄膜之方法,包括以使氧化 铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线强度(A)kcps(铝K-射线) 对未馈入氧所得之铝沉积薄膜(2)之萤光X-射线强 度(B)kcps(铝K-射线)之沉积比例(A/B)为0.35≦(A/B)≦ 0.85之方式使氧与铝蒸气在真空中反应而在基材薄 膜上沉积氧化铝。 2.如申请专利范围第1项之制造氧化铝沉积薄膜方 法,其中(A/B)之比例为0.45≦(A/B)≦0.85。 3.一种制造氧化铝沉积薄膜之方法,包括以使氧化 铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线强度(A)kcps(铝K-射线) 对未馈入氧所得之铝沉积薄膜(2)之萤光X-射线强 度(B)kcps(铝K-射线)之沉积比例(A/B)为0.35≦(A/B)≦ 0.65之方式使氧与铝蒸气在真空中反应而在基材薄 膜上沉积氧化铝,接着使氧化铝沉积层与氧反应而 使氧化铝沉积层氧化。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之制造氧化铝 沉积薄膜之方法,其中氧化铝沉积薄膜(1)之萤光X- 射线强度(A)kcps为0.5至10 kcps。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之制造氧化铝 沉积薄膜之方法,其中氧与铝蒸气之反应系藉自冷 冻辊旋转方向且与铝蒸气相反方向之馈入喷嘴馈 入氧而进行,该馈入喷嘴系排列在基材薄膜之松开 侧且排列在掩蔽板之宽度方向。 6.如申请专利范围第5项之制造氧化铝沉积薄膜之 方法,其中馈入喷嘴系距离基材薄膜1至150毫米。 7.如申请专利范围第3项之制造氧化铝沉积薄膜之 方法,其中沉积完成后,藉使氧化铝沉积薄膜于大 气中再卷绕而使氧化铝沉积层与氧接触。 8.如申请专利范围第3项之制造氧化铝沉积薄膜之 方法,其中氧化铝沉积薄膜沉积后及卷绕前,使氧 化铝沉积层与沉积装置中之氧及氧电浆接触。 9.如申请专利范围第3项之制造氧化铝沉积薄膜之 方法,其中氧化铝沉积层与排列在沉积装置中至少 一个电浆放电室中之氧及氧电浆接触。 10.如申请专利范围第1至3项中任一项之制造氧化 铝沉积薄膜之方法,其中基材薄膜为双轴定向薄膜 。 11.如申请专利范围第10项之制造氧化铝沉积薄膜 之方法,其中氧化铝系沉积在其积层表面已以聚胺 基甲酸酯树脂层预涂布之双轴定向基材薄膜之非 积层表面上。 12.如申请专利范围第11项之制造氧化铝沉积薄膜 之方法,其中热密封层系直接或经由黏着剂层积层 在氧化铝沉积薄膜之积层表面上。 13.一种氧化铝沉积薄膜,包括基材薄膜、及对基材 薄膜之湿状态剥离强度至少0.3N/15毫米之氧化铝沉 积层,其具有氧渗透性不超过40毫升/米2.天.MPa及水 蒸气渗透性不超过4. 0克/米2.天.MPa,其中氧化铝沉 积薄膜(1)之萤光X-射线强度(A)kcps(铝K-射线)对未 馈入氧所得之铝沉积薄膜(2)之萤光X-射线强度(B) kcps(铝K-射线)之沉积比例(A/B)为(A/B)≦0.85。 14.一种氧化铝沉积薄膜,包括基材薄膜、及对基材 薄膜之湿状态剥离强度至少0.3N/15毫米之氧化铝沉 积层,其中氧化铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线强度(A) kcps(铝K-射线)对未馈入氧所得之铝沉积薄膜(2) 之萤光X-射线强度(B)kcps(铝K-射线)之沉积比例(A/ B)为(A/B)≦0.85。 15.一种氧化铝沉积薄膜,包括基材薄膜、及对基材 薄膜之湿状态剥离强度至少0.3N/15毫米之氧化铝沉 积层,其具有氧渗透性不超过40毫升/米2天MPa 及水蒸气渗透性不超过4. 0克/米2天MPa,其中氧 化铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线强度(A)kcps(铝K-射 线)对未馈入氧所得之铝沉积薄膜(2)之萤光X-射线 强度(B)kcps(铝K-射线)之沉积比例(A/B)为0.35≦(A/B) ≦0.85。 16.一种氧化铝沉积薄膜,包括基材薄膜、反对基材 薄膜之湿状态剥离强度至少0.3N/15毫米之氧化铝沉 积层,系藉由以使氧化铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线 强度(A)kcps(铝K-射线)对未馈入氧所得之铝沉积 薄膜(2)之萤光X-射线强度(B)kcps(铝K-射线)之沉积 比例(A/B)为0.35≦(A/B)≦0.65之方式沉积氧化铝,接着 氧化该氧化铝沉积层而制备者。 17.一种氧化铝沉积薄膜,包括基材薄膜、及对基材 薄膜之湿状态剥离强度至少0.3N/15毫米之氧化铝沉 积层,其中氧化铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线强度(A) kcps为0.5至10kcps,且氧化铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线 强度(A)kcps(铝K-射线)对未馈入氧所得之铝沉积 薄膜(2)之萤光X-射线强度(B)kcps(铝K-射线)之沉积 比例(A/B)为(A/B)≦0.85。 18.一种氧化铝沉积薄膜,包括基材薄膜、及对基材 薄膜之湿状态剥离强度至少0.3N/15毫米之氧化铝沉 积层,其中该基材薄膜为双轴定向基材薄膜,且氧 化铝沉积薄膜(1)之萤光X-射线强度(A)kcps(铝K-射 线)对未馈入氧所得之铝沉积薄膜(2)之萤光X-射线 强度(B)kcps(铝K-射线)之沉积比例(A/B)为(A/B)≦0.85 。 19.如申请专利范围第18项之氧化铝沉积薄膜,其中 该双轴定向薄膜之积层表面系以聚胺基甲酸酯树 脂层预涂布及氧化铝系沉积在双轴定向基材薄膜 之非积层表面。 20.如申请专利范围第18或19项之氧化铝沉积薄膜, 其中该基材薄膜为双轴定向聚酯基材薄膜。 21.如申请专利范围第13至16项中任一项之氧化铝沉 积薄膜,其中在基材薄膜上或氧化铝沉积薄膜之氧 化铝沉积层之表面上积层热密封层。 22.如申请专利范围第19项之氧化铝沉积薄膜,其中 系在双轴定向基材薄膜之积层表面上积层热密封 层。 |
