非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，首先提供一基底，基底上已形成有多个记忆体元件，于各个记忆体元件之一侧具有一第一开口，且各个第一开口位于相邻两个记忆体元件之间。接着，于第一开口侧壁及底部形成第一介电层。然后，于各个第一开口两侧侧壁的第一介电层上分别形成一个方块状堆叠结构，各个方块状堆叠结构由下而上包括导体层及填充层。接下来，于各个第一开口中各个方块状堆叠结构一侧之侧壁上形成间隙壁。之后，于各个第一开口中间隙壁所暴露的基底中形成第一掺杂区。