单层多晶矽可电除可程式唯读记忆胞(SINGLE-POLY EEPROM CELL)、其制造方法以及其操作方法

摘要

一种空乏型单层多晶矽可电除可程式唯读记忆胞之形成方法。此方法包括：提供具有一浮置区与一控制区之一基底，分别于该浮置区与该控制区的该基底中形成一隔离深阱区以及一深阱区。之后，于该隔离深阱区中，以及该隔离深阱区与该深阱区之间的该基底中，分别形成一阱区以及一隔离阱区。分别于该阱区以及该深阱区形成一空乏掺杂区以及一记忆胞植入区。于该基底上形成横跨该浮置区与该控制区之一浮置闸结构，其中该浮置闸结构分别裸露部分该空乏掺杂区与部分该记忆胞植入区。最后，进行一掺杂制程以分别于裸露的部分空乏掺杂区以及裸露的部分记忆胞植入区中形成一源极／汲极区以及一重掺杂区。