发明名称 Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren
摘要 Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleiterelement, das erste und zweite Elektroden aufweist, wobei das Halbleiterelement mindestens eine Elektrode beinhaltet, welche auf einer der ersten und zweiten Oberflächen angeordnet ist, und erste und zweite metallische Schichten auf, wobei die erste metallische Schicht auf der ersten Oberfläche des Halbleiterelements angeordnet ist und die zweite metallische Schicht auf der zweiten Oberfläche des Halbleiterelements angeordnet ist. Die eine Elektrode ist elektrisch mit einer der ersten und zweiten metallischen Schichten verbunden, welche auf einer der ersten und zweiten Oberflächen angeordnet ist. Die eine Elektrode ist über die eine der ersten und zweiten metallischen Schichten mit einer externen Schaltung gekoppelt.
申请公布号 DE102007025950(A1) 申请公布日期 2008.01.31
申请号 DE20071025950 申请日期 2007.06.04
申请人 DENSO CORP. 发明人 ASAI, YASUTOMI;ISHINO, HIROSHI
分类号 H01L23/50;H01L21/60;H01L21/78 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
地址